Kurucz, E., Donoval, D., & Vrbický, A. (2006). Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie. STU v Bratislave FEI.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita Chicago Style (17a ed.)
Kurucz, Endre, Daniel Donoval, y Andrej Vrbický. Analýza Vybraných Elektrických Vlastností Vertikálného Trench MOS Tranzistora S Podporou Modelovania a Simulácie. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2006.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita MLA (9a ed.)
Kurucz, Endre, et al. Analýza Vybraných Elektrických Vlastností Vertikálného Trench MOS Tranzistora S Podporou Modelovania a Simulácie. STU v Bratislave FEI, 2006.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.