Style de citation APA (7e éd.)
Stoklas, R., & Gregušová, D. (2008). Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN: č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV.
Style de citation Chicago (17e éd.)
Stoklas, Roman, et Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Bratislava: Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Style de citation MLA (9e éd.)
Stoklas, Roman, et Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.