Cita APA (7a ed.)
Vogt, H. (1986). Hochdosisimplamtation von Stickstoff in Silizium: Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte. VDI Verlag.
Cita Chicago Style (17a ed.)
Vogt, H. Hochdosisimplamtation Von Stickstoff in Silizium: Eine Technik Zur Erzeugung Von Dielektrisch Isolierten CMOS-Bauelementen Mit Hoher Integrationsdichte. Düsseldorf: VDI Verlag, 1986.
Cita MLA (9a ed.)
Vogt, H. Hochdosisimplamtation Von Stickstoff in Silizium: Eine Technik Zur Erzeugung Von Dielektrisch Isolierten CMOS-Bauelementen Mit Hoher Integrationsdichte. VDI Verlag, 1986.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.