Seifert, I., Racko, J., & Drobný, V. (1999). Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices: Dipl.práca. STU v Bratislave FEI.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita Chicago Style (17a ed.)
Seifert, Ivan, Juraj Racko, y Vladimír Drobný. Modelovanie Kvantovomechanických Procesov V Degenerovaných Polovodičových štruktúrach = Numerical Simulation of Electrical Characteristics of High Dopping Level Semiconductor Devices: Dipl.práca. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 1999.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita MLA (9a ed.)
Seifert, Ivan, et al. Modelovanie Kvantovomechanických Procesov V Degenerovaných Polovodičových štruktúrach = Numerical Simulation of Electrical Characteristics of High Dopping Level Semiconductor Devices: Dipl.práca. STU v Bratislave FEI, 1999.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.