Bernát, J., Donoval, D., & Kordoš, P. (2005). Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Erfolgreich in die Zwischenablage kopiert
Kopieren in die Zwischenablage fehlgeschlagen
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)
Bernát, Juraj, Daniel Donoval, und Peter Kordoš. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2005.
Erfolgreich in die Zwischenablage kopiert
Kopieren in die Zwischenablage fehlgeschlagen
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)
Bernát, Juraj, et al. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2005.
Erfolgreich in die Zwischenablage kopiert
Kopieren in die Zwischenablage fehlgeschlagen
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.