Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1996
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation :
- Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 /
- Semiconductor technologies
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Vybrané problémy rozhraní a heteroštruktúr v mikro- a nanoelektronike : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
- Properties of III - V quantum wells and superlattices
- Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku