Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
- GaAs detektory pre detekciu neutrónov
- Preparation and properties of GaAs photodetectors : Diplomová práca
- Modelovanie vzniku a vlastností horúcich elektrónov v GaAs
- Optimalization of Semi-Insulating GaAs Detector of Ionizing Radiation for Modern Digital Radiography = Optimalizácia semi-ionizačného GaAs detektora ionizujúceho žiarenia pre modernú digitálnu rádiografie
- Štatistická analýza fluktuálnej detekčnej účinnosti elektronického vyčítavania s GaAs detektoron ionizujúceho žiarenia
- Štúdium radiačného poškodenia detektorov ionizujúceho žiarenia na báze semiizolačného GaAs