Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP :
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
- Kvalita polovodičových štruktúr a prvkov na báze InGaAs
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty : Habil.práca : Obh. 00.01.1993 /
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP