Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.