Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.