Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.