Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Skúmanie vlastností štruktúry MOS s nehomogénnym substrátom ožiarenej ťažkými vysokoenergetickýcmi iónmi
- Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Príprava šikmých plôch na Si štruktúrach
- Identifikácia porúch v Schottkyho štruktúrach na báze SiC spektroskopiou hlbokých hladín