Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Skúmanie vlastností štruktúry MOS s nehomogénnym substrátom ožiarenej ťažkými vysokoenergetickýcmi iónmi
- Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Príprava šikmých plôch na Si štruktúrach
- Identifikácia porúch v Schottkyho štruktúrach na báze SiC spektroskopiou hlbokých hladín