Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Analýza vlastností polovodičových štruktúr kapacitnými metódami : Dipl.práca /
- Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Sledovanie vplyvu teploty substrátu na vlastnosti kovových vrstiev pripravených pilznou laserovou depozíciou
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /