Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Analýza vlastností polovodičových štruktúr kapacitnými metódami : Dipl.práca /
- Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Sledovanie vplyvu teploty substrátu na vlastnosti kovových vrstiev pripravených pilznou laserovou depozíciou
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /