Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Elektrická charakterizácia vlastností štruktur MOS s veľmi tenkým oxidom
- Výskum unipolárnych štruktúr MOS v nerovnovážnom stave
- Fotoanódy kov-izolant-polovodič pre foto-elektrochemické zdroje energie
- Radiačná odolnosť CZ a NCZ MOS štruktúr
- Diagnostika štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu