Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2006
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs :
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Fabrication of GaAs Devices
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Detektory tepelných neutrónov na báze semiizolačného GaAs
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000