Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2006
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu126718 | ||
| 005 | 20160226102358.0 | ||
| 008 | 060921s2006------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 080 | |a 538.975 | ||
| 080 | |a 539.23 | ||
| 080 | |a 621.315.592 | ||
| 084 | |a A6855 |2 INS | ||
| 084 | |a A6865 |2 INS | ||
| 084 | |a A8115 |2 INS | ||
| 084 | |a B0520 |2 INS | ||
| 100 | 1 | |a Vincze, Andrej, |d 1975- |4 aut |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 44262 |U E030 |Y 549 |7 A000044262 | |
| 245 | 1 | |a Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : |b Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006 | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2006 | ||
| 300 | |a 148 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a polovodičové štruktúry |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a heteroštruktúry |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a fyzika polovodičov |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a epitaxia |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a kvantové drôty |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a príprava tenkých vrstiev |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a GaAs |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Kováč, Jaroslav, |d 1947- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 2102 |U E030 |Y 549 |7 A000002102 | |
| 996 | |b 284ED01131 |c E*PGŠ-935 |l EE01 |s A |a 24 |w stu126718_0001 | ||