Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2006
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Detektory tepelných neutrónov na báze semiizolačného GaAs