Príprava kompozitu C-SiC reakčnou infiltráciou grafitu kremíkom. (Preparation of C-SiC composite by reactive infiltra-tion of graphite by silicon) [CD-ROM] : Diplomová práca
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave SjF,
2007
|
| Vydanie: | 1.vyd. |
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Príprava kompozitu C-SiC reakčnou infiltráciou grafitu kremíkom. (Preparation of C-SiC composite by reactive infiltra-tion of graphite by silicon) [CD-ROM] :
- Degradačné procesy vo fotovoltických systémoch na báze SiC
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Vplyv parametrov prípravy kompozitu Si3N4+SiC na jeho vybrané vlastnosti
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu