Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Interaktívne animácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom