Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Interaktívne animácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom