Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
- Identifikácia porúch v Schottkyho štruktúrach na báze SiC spektroskopiou hlbokých hladín
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008