Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
- Identifikácia porúch v Schottkyho štruktúrach na báze SiC spektroskopiou hlbokých hladín
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008