Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT