Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov : V.odb. 5.2.48 : Dát. obh. 24.2.2009
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov :
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Semiconductor radiation detectors
- Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005