Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov : V.odb. 5.2.48 : Dát. obh. 24.2.2009
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov :
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Semiconductor radiation detectors
- Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005