Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Manuskript Buch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Analýza elektrofyzikálných vlastností a energetickej odolnosti moderných výkonových tranzistorov : Dát. obhaj. 17.2.2011, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu