Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.