Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou