Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou