Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Šramatý, Roman, 1985- (Auteur)
Autres auteurs:	Stuchlíková, Ľubica, 1967- (Directeur de thèse)
Format:	Manuscrit Livre
Publié:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2009
Sujets:	elektronika Mikroelektronika polovodičové štruktúry fyzika polovodičov MOS štruktúry
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

View in STU Opac

Documents similaires: Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov

Aperçu
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Aperçu
Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
Aperçu
Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
Aperçu
Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Aperçu
Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
Aperçu
Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Aperçu
Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
Aperçu
Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
Aperçu
Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
Aperçu
Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Aperçu
Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
Aperçu
Teplotne simulované iónové prúdy v izolačných vrstvách štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 12.03.1986 : Projekt III-6-1/13 /
Aperçu
Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
Aperçu
Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
Aperçu
Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN
Aperçu
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Aperçu
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
Aperçu
Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
Aperçu
The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
Aperçu
Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
Aperçu
Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
Aperçu
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Aperçu
Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
Aperçu
Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu