Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS :
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Vplyv podmienok merania na hodnoty prierazného napätia izolačných olejov
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Výskum vlastností materiálov pre pokročilé MOS štruktúry : č.ved.odb. 26-35-9, dát.obhaj. 18.12.2008
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices