EUROFORM : Konf. Epitaxial growth of III-V and II-VI semiconductors, Aachen, DBR, 24.- 26. June 1992
Uložené v:
| Médium: | Kniha |
|---|---|
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Aachen :
IHT RWTH,
1992
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: EUROFORM :
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Proceedings of the 7th Czecho-Slovak conference on thin films : Konf. Liptovský Mikuláš, 14.- 18. June 1993 : Obs. Zv.1:, s.1-178. Zv.2:, s.179-368 /
- Tenké vrstvy nitridov a oxidov kovov pre aplikácie v mikroelektronike a senzorike : Obhaj. 8.2.2005