EUROFORM : Konf. Epitaxial growth of III-V and II-VI semiconductors, Aachen, DBR, 24.- 26. June 1992
Guardado en:
| Formato: | Libro |
|---|---|
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
Aachen :
IHT RWTH,
1992
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: EUROFORM :
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Proceedings of the 7th Czecho-Slovak conference on thin films : Konf. Liptovský Mikuláš, 14.- 18. June 1993 : Obs. Zv.1:, s.1-178. Zv.2:, s.179-368 /
- Tenké vrstvy nitridov a oxidov kovov pre aplikácie v mikroelektronike a senzorike : Obhaj. 8.2.2005