Tvorba robustných testovacích hraníc pri meraní záverného prúdu polovodičových diód.
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Tvorba robustných testovacích hraníc pri meraní záverného prúdu polovodičových diód.
- Pasivácia organických elektroluminiscenčných diód
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Skúmanie kvality polovodičových materiálov a štruktúr metódou DLTS : dát. obahj. 27.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a analýza elektrických vlastností tranzistorov typu HEMT
- Meranie a spracovanie biosignálov
- Meranie optických vlastností biologických tkanív