Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN