Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Softvér na simuláciu elektrických obvodov pre výkonovú elektroniku
- Radiačná odolnosť CZ a NCZ MOS štruktúr
- Elektronické prvky /
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora