Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Softvér na simuláciu elektrických obvodov pre výkonovú elektroniku
- Radiačná odolnosť CZ a NCZ MOS štruktúr
- Elektronické prvky /
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora