Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1981
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom :
- Polovodičové vrstvy CdSe pre tenkovrstvový tranzistor : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1973 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Príspevok ku riešeniu koronových stabilizátorov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 09.09.1966 /
- Príspevok k metódam kvantitatívnej elektrónovej spektroskopie tuhých látok : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/4III-6-1/08 /
- Príspevok k technológii indiumantimonidových Esakiho diód : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 10.12.1965 /
- Tunelové (Esakiho) diódy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.06.1966 /