Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
Saved in:
| Main Authors: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Book |
| Published: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1990
|
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs :
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs devices and circuits /
- Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
- GaAs detektory rýchlych neutrónov
- Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť I : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002