Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Buch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1990
|
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs :
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs devices and circuits /
- Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
- GaAs detektory rýchlych neutrónov
- Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť I : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002