Fabrication of GaAs Devices
Uložené v:
| Hlavní autori: | , |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
London :
The Institution of Electrical Engineers,
2005
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Fabrication of GaAs Devices
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Detektory tepelných neutrónov na báze semiizolačného GaAs
- Štúdium vlastností semiizolačného GaAs detektora rtg. žiarenia pre digitálnu rádiografiu
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky