Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | VAIS |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Návrh a vývoj technologických procesov pre vytvorenie organického tenkovrstvového integrovaného obvodu na báze pentacénu
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov