Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Návrh a vývoj technologických procesov pre vytvorenie organického tenkovrstvového integrovaného obvodu na báze pentacénu
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov