Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Návrh a vývoj technologických procesov pre vytvorenie organického tenkovrstvového integrovaného obvodu na báze pentacénu
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov