Vplyv mikroštruktúry kapacitora na báze TiO2 dielektrika s vysokou dielektrickou konštantou na jeho elektrické vlastnosti
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Vplyv mikroštruktúry kapacitora na báze TiO2 dielektrika s vysokou dielektrickou konštantou na jeho elektrické vlastnosti
- Charakterizácia elektrických vlastností štruktúr MOS s tenkými dielektrickými vrstvami s vysokou dielektrickou konštantou
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava podvojných oxidov na báze TiO2 : Obh. 3.6.1991 /
- TiO2 fotokatalýza základy a aplikace /
- Vplyv koncentrácie TiO2 na vlastnosti keramického systému B4C + TiO2
- Formovanie mikroštruktúry v peritektickej zliatine na báze TiAl