Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Identifikácia porúch v moderných polovodičových štruktúrach pre výkonové aplikácie
- Štúdium zvyšovania húževnatosti nitridovej keramiky vnášaním častíc do matrice
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC