Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | VAIS |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Identifikácia porúch v moderných polovodičových štruktúrach pre výkonové aplikácie
- Štúdium zvyšovania húževnatosti nitridovej keramiky vnášaním častíc do matrice
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC