Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | VAIS |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Detekcia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
- SiC detektory pre neutrónovú digitálnu rádiografiu