Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Detekcia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
- SiC detektory pre neutrónovú digitálnu rádiografiu