Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS
- Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr metódou DLTS
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025
- Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN