Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 14.04.1992 /
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1991
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom :
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Tvorba návrhových pravidiel IO CMOS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 30.11.1994 /
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Combinatorial algorithms for integrated circuit layout /
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe