Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.03.1989 : Projekt III-6-1/13,III-7-2/04 /
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1988
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora :
- Štúdium ambipolárného transportu nosičov náboja v konjugovaných organických polovodičoch využitím OFET tranzistorov
- Polovodičové součástky typu MIS /
- Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
- The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
- Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
- Polovodičové súčiastky /