Štúdium vlastností semiizolačného GaAs: Cr fotoakustickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 11-22-9 : Obh. 19.01.1989 /

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kejst, Jozef (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Hucl, Milan (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Veröffentlicht: Bratislava : SVŠT v Bratislave EF, 1988
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu4383
005 20150617225814.4
008 ------s1988----------------------------d
040 |a STU  |b slo 
041 0
100 1 |a Kejst, Jozef  |4 aut 
245 1 |a Štúdium vlastností semiizolačného GaAs: Cr fotoakustickými metódami :  |b Kand.diz.práca : V.odb. 11-22-9 : Obh. 19.01.1989 /  |c [aut.] Kejst,Jozef, Ing.; Škol. Hucl,Milan 
260 |a Bratislava :  |b SVŠT v Bratislave EF,  |c 1988 
300 |a 86 s 
650 7 |a akustika  |2 stusub 
650 7 |a fotoakustický signál  |2 stusub 
650 7 |a fotoakustický spektrometer  |2 stusub 
700 1 |a Hucl, Milan  |4 ths 
996 |b 284ED00396  |c E*KDIZ-571  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu4383_0001