Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
Enregistré dans:
| Autres auteurs: | |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Bristol :
Institute of Physics Publishing,
1993
|
| Édition: | 1.vyd. |
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
- Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
- The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
- EUROFORM : Konf. Epitaxial growth of III-V and II-VI semiconductors, Aachen, DBR, 24.- 26. June 1992
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Composites with Micro- and Nano-Structure : Computational Modeling and Experiments
- Issledovanije vozmožnostej prigotovlenija plenok u struktup VTSP pri pomošči lasernych technologij = Výskum možností prípravy tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov pomocou laserových technológií : Kan.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 29.06.1994 /