Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
New York :
John Wiley & Sons,
1992
|
| Vydanie: | 1.vyd. |
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Physical properties of III-V semiconductor compounds :
- Semiconductor radiation detectors
- The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
- Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
- Fabrication of GaAs Devices
- Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
- Semiconductor Group