Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty : Habil.práca : Obh. 00.01.1993 /
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave EF,
1993
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty :
- Defekty kristaličeskoj rešetki metallov /
- Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Properties of indium phosphide
- Poverchnostnyje defekty legirovannych stalej /