Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1982
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS :
- Syntéza MOS štruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.03.1989 : Projekt III-6-1/13,III-7-2/04 /
- Výskum MOS štruktúr fotoelektrickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/1 /
- Príspevok ku riešeniu koronových stabilizátorov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 09.09.1966 /
- Príspevok k technológii indiumantimonidových Esakiho diód : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 10.12.1965 /
- Výskum rastu štruktúr A3B5 metódou molekulárnej zväzkovej epitaxie : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1993 /