Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Publié: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1982
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS :
- Syntéza MOS štruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.03.1989 : Projekt III-6-1/13,III-7-2/04 /
- Výskum MOS štruktúr fotoelektrickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/1 /
- Príspevok ku riešeniu koronových stabilizátorov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 09.09.1966 /
- Príspevok k technológii indiumantimonidových Esakiho diód : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 10.12.1965 /
- Výskum rastu štruktúr A3B5 metódou molekulárnej zväzkovej epitaxie : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1993 /