Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN : Diplomová práca
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2000
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN :
- Preparation and properties of GaAs photodetectors : Diplomová práca
- Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
- GaAs detektory pre detekciu neutrónov
- Modelovanie vzniku a vlastností horúcich elektrónov v GaAs
- Optimalization of Semi-Insulating GaAs Detector of Ionizing Radiation for Modern Digital Radiography = Optimalizácia semi-ionizačného GaAs detektora ionizujúceho žiarenia pre modernú digitálnu rádiografie
- Štúdium radiačného poškodenia detektorov ionizujúceho žiarenia na báze semiizolačného GaAs