Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
SAV,
2000
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Heterostructure epitaxy and devices : Workshop : Konf. Smolenice Castle, Slovak Republic, 17.- 21. Oct.1993
- Úvod do kvantové fysiky polovodičů
- Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 /
- Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
- Issledovanije vozmožnostej prigotovlenija plenok u struktup VTSP pri pomošči lasernych technologij = Výskum možností prípravy tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov pomocou laserových technológií : Kan.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 29.06.1994 /