Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
Na minha lista:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2001
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP :
- Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Semiconductor radiation detectors
- Detektor žiarenia na báze semiizolačného GaAs pre diagnostiku horúcej plazmy
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs