Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
Uložené v:
| Hlavní autori: | , |
|---|---|
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2001
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP :
- Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Semiconductor radiation detectors
- Detektor žiarenia na báze semiizolačného GaAs pre diagnostiku horúcej plazmy
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs