Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2003
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností Schottkyho štruktúr na GaN : Dipl.práca
- Meranie a vyhodnotenie elektrických vlastností Schottkyho štruktúr GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Modelovanie a simulácia ultra tenkých MOS štruktúr s uvažovaním kvantovo - mechanického tunelovania cez izolačnú bariéru