Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2003
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností Schottkyho štruktúr na GaN : Dipl.práca
- Meranie a vyhodnotenie elektrických vlastností Schottkyho štruktúr GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Modelovanie a simulácia ultra tenkých MOS štruktúr s uvažovaním kvantovo - mechanického tunelovania cez izolačnú bariéru