Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Windisch, Tibor (Auteur)
Autres auteurs: Stuchlíková, Ľubica, 1967- (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
Publié: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2002
Sujets:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu81321
005 20160719164729.4
008 030702s2002------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Windisch, Tibor  |4 aut 
245 1 |a Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2002 
300 |a 52 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica,  |d 1967-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997